Закрыть
Авторизация
Логин:
Пароль:

Забыли пароль?

Об институте

Общие сведения

В целях расширения фундаментальных исследований в области электрофизики и электродинамики композитных материалов в 1988 году в соответствии с распоряжением Совета Министров СССР от 21 октября 1987 года № 2288рс в составе Института высоких температур РАН был создан научно-инженерный центр прикладных проблем электродинамики (НИЦ ППЭ).

С 1991 года НИЦ ППЭ является юридическим лицом в составе НО “ИВТАН”, действует на правах научно-исследовательского института Академии наук СССР (постановление Президиума Академии наук СССР от 29.10.1991 № 266). В 2005 году ИТПЭ ОИВТ РАН выведен из состава ОИВТ РАН и переименован в Институт теоретической и прикладной электродинамики Российской академии наук (ИТПЭ РАН) (постановление Президиума РАН от 27.12.2005 № 294).

1. В 2011 году ИТПЭ РАН переименован в Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт теоретической и прикладной электродинамики РАН (ИТПЭ РАН) (постановление Президиума РАН от 13.12.2011 № 262).

Организатором ИТПЭ РАН является А.Н. Лагарьков (член-корр. РАН — с 2000 г., академик РАН — с 2011 г.). До 20 июня 2017 г. А.Н. Лагарьков был директором ИТПЭ РАН. С 20 июня 2017 г. директором ИТПЭ РАН является д.ф.-м.н. В.Н. Кисель, который был единогласно выбран на Общем собрании сотрудников ИТПЭ РАН. Академик А.Н. Лагарьков с 20 июня 2017 г. является Научным руководителем ИТПЭ РАН.

 

Основными направлениями деятельности являются:

  • фундаментальные исследования в области электрофизики и электродинамики композитных материалов, в том числе функционально нано-структурированных, а также метаматериалов с новыми электрофизическими, оптическими и радиофизическими свойствами;

  • исследования в области прикладной сверхпроводимости, структурного нано-магнетизма и электродинамики магнитоактивных сред;

  • исследования, направленные на создание композитных материалов, технологии их формирования;

  • исследования в области принципов создания, процессов формирования и разработки технологий производства активных тонкопленочных структур SERS (Surface-Enhanced Raman Spectroscopy) для сверхчувствительных биологических и химических сенсоров»;

  • оптимизация радиотехнических характеристик антенно-фидерных систем и решение проблем электромагнитной совместимости.

  • разработка и создание компактных полигонов (безэховых камер), предназначенных для исследований взаимодействия радиоволн с объектами сложных форм, анализа проблем электромагнитной совместимости.


  ИТПЭ РАН проводит исследования по двум направлениям. Программы фундаментальных научных исследований государственных академий наук на 2013 – 2020 годы:

  • № 18. Физико-технические и экологические проблемы энергетики, тепломассообмен, теплофизические и электрофизические свойства веществ, низкотемпературная плазма и технологии на ее основе.
  • № 19. Фундаментальные проблемы современной электротехники, импульсной и возобновляемой энергетики.


ИТПЭ РАН участвует в проведении фундаментальных научных исследований по девяти темам, финансируемым из федерального бюджета, из них четыре темы по программам РАН.

В Институте ведутся исследования и разработаны технологии для практического применения радиопоглощающих покрытий и поглотителей в конструкциях антенных систем для оптимизации их радиотехнических характеристик.

В настоящее время в ИТПЭ РАН работает уникальный стенд «Комплекс измерительный автоматизированный – компактный полигон». Стенд позволяет проводить в широком диапазоне частот исследования фундаментальных явлений дифракции и уникальные измерения для прикладных целей.

За период 2012-2016 г. были получены 18 грантов РФФИ и РНФ, из них 3 с зарубежными соисполнителями.

В ИТПЭ 172 сотрудников, из них 64 научных сотрудников (1 академик, 14 докторов, 30 кандидатов наук).

В Институте имеется аспирантура, функционируют специализированный совет по защите диссертаций на соискание ученой степени доктора наук. Ведется сотрудничество с вузами Москвы (МГУ, МИЭМ, МИСиС, МИФИ, МФТИ, МАИ, РХТУ им. Менделеева, МИТХТ, МАТИ). В МФТИ работает кафедра на базе ИТПЭ РАН «Электродинамика сложных систем и нанофотоника».