26 марта 2024 г. в 13:00 состоится семинар ИТПЭ РАН лаборатории Теоретической электродинамики конденсированного состояния (под рук. д.ф.-м.н. А.Л. Рахманова)
Адрес: ул. Красноказарменная, 17а (фактически находится на ул. Лапина 17а), комн. 513
Автор доклада: Еналдиев В.В. (Международный центр теоретической физики им. А.А. Абрикосова, МФТИ и Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН)
Тема доклада: Электронные свойства твистронных ван-дер-ваальсовых гетероструктур на основе графена
Аннотация:
В докладе будет представлен подход [1] для описания электронов в графеновых ван-дер-ваальсовых гетероструктурах с муаровой сверхрешеткой, на основе гибридного гамильтониана, комбинирующего kp-приближение для движения дираковских фермионов в плоскости слоев и туннельных интегралов, описывающих межслоевую гибридизацию. Последний моделируется в приближении сильной связи для локального стакинга между слоями и разложения в ряд Фурье туннельных матричных элементов по векторам обратной решетки слоев. Для слабо разориентированного бислоя графена спектр мини-зон, полученный с помощью гибридного гамильтониана, будет сравниваться с известным результатом [2]. В
качестве другого примера будет рассмотрено квантование электронных состояний на AB/BA доменной стенке в бислое графена, представляющей собой границу между доменами с AB и BA бернальным стакингом, возникающими в слабо разориентированных бислоях графена при релаксации решеток. Будет показано [3], что даже в отсутствие щели в объемном спектре AB/BA доменная стенка поддерживает некиральные локализованные состояния вблизи точки нейтральности, которые в сильных перпендикулярных магнитных полях образуют устойчивый одномерный канал для переноса бездиссипативного тока в джозеффсоновском контакте с прослойкой в виде АВ/ВА доменной стенки [4].
Также будет продемонстрировано применение модели гибридного гамильтониана для ван-дер-ваальсовых структур на основе тонкого ромбоэдрического графита с границей двойникования [5], в которых при определенном порядке укладки слоев возможно возникновение спонтанной ферроэлектрической поляризации, величина которой зависит от асимметрии положения границы двойникования.
[1] A. Garcia-Ruiz, H.-Y. Deng, V. V. Enaldiev, V.I. Fal’ko, Phys. Rev. B 104, 085402 (2021).
[2] R. Bistritzer, A. H. MacDonald, PNAS 108, 12233 (2011).
[3] V.V. Enaldiev, C. Moulsdale, A.K. Geim, V.I. Fal’ko, arXiv:2307.14293 (2023).
[4] J. Barrier, et al, arXiv: 2402.14451.
[5] A. Garcia-Ruiz, V. Enaldiev, A. McEllistrim, V.I. Fal’ko, 23, 4120 (2023).