07 апреля 2026 г. в 12:00 состоится семинар лаборатории Теоретической электродинамики конденсированного состояния ИТПЭ РАН (под рук. д.ф.-м.н. А.Л. Рахманова)
Адрес: ул. Красноказарменная, 17а (фактически находится на ул. Лапина, 17а), комн. 513
Автор доклада: Алисултанов З.З. (МФТИ)
Язык доклада: русский
Тема:
Влияние немагнитного беспорядка не электронные состояния многослойного топологического изолятора
Аннотация:
Используя простую модель Буркова–Балентса, мы исследовали влияние немагнитного беспорядка на электронные состояния многослойной структуры из топологических и обычных диэлектриков. Построены фазовые диаграммы, показывающие, что беспорядок может индуцировать переходы между топологическими фазами. Далее изучены свойства многослойного топологического изолятора (МТИ) при недиагональном беспорядке, когда межслойное туннелирование флуктуирует от слоя к слою. Одиночный недиагональный дефект (слой с отличающимся параметром туннелирования) создает связанное состояние в запрещенной зоне. Зависимость его энергии от силы возмущения качественно различается в тривиальной и топологической фазах МТИ, что служит локальным индикатором топологического порядка. Наконец, изучено влияние недиагонального беспорядка на локализацию краевых мод в МТИ. Оценена длина локализации для равномерного, гауссова и лоренцева распределений. Беспорядок сохраняет киральность, но может приводить к делокализации краевых мод и туннелированию между ними, ослабляя топологическую защиту. Вычислена поправка к продольной краевой проводимости, из-за которой возможно отклонение от квантованного значения.
[1] Z.Z. Alisultanov, A. Kudlis, Phys. Rev. B 109, 165141 (2024)
[2] Z.Z. Alisultanov, A. Kudlis, Phys. Rev. B 112, 205108 (2025)